El diodo consiste fundamentalmente en la unión de dos piezas de cristal semiconductor compuestas por átomos de silicio puro, procesadas cada una de una forma diferente, de forma que una sea de tipo P (con carga positiva) y otra tipo N (con carga negativa). Para lograr esto, a las piezas se les añade algunas moléculas de otro elemento semiconductor, denominadas impurezas. Este proceso se denomina dopado. Al final del proceso se obtiene una pieza de cristal de silicio positiva (P) con faltante de electrones en su estructura atómica (lo que produce la aparición de “huecos”) y otra pieza negativa (N) con exceso de electrones.

Para finalizar el diodo, se añaden unos contactos a los extremos de la unión P-N que facilitarán la conexión al circuito donde vaya a ser utilizado. Por último se les introduce en un encapsulado de cristal o resina sintética para proteger la unión. Sin embargo, este proceso de construcción del diodo es utilizado solo en la teoría, ya que industrialmente se fabrican de una sola pieza formada por dos regiones con cargas opuestas. De esta forma se evita tener que unirlos posteriormente.